半導體

半導體產業的等離子塗層

客戶案例

常用的蝕刻介質包括：CF4、SF6、O2、Cl2、HBr 等腐蝕性氣體，這些氣體對腔室內的工作部件會造成強烈的腐蝕。尤其當這些氣體汽化成高密度等離子體時，由於等離子體的轟擊和侵蝕，會在鋁合金、石英、陶瓷等零件的表面產生大量微粒。這些釋放的微粒會顯著影響關鍵零件的品質和產量，進而導致晶圓缺陷，並大幅縮短其使用壽命。同時，氧化物塗層在惡劣環境下具有良好的高溫穩定性和耐熱性。

在晶片蝕刻腔內表面沉積一層氧化物塗層，可有效防止微粒的產生，並保護矽片免受污染。蝕刻腔的維護週期將從15天延長至6個月。