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蝕刻技術

特殊設計的磁場均勻地包圍著樣品系統

蝕刻均勻性極佳

良好的衍射

可調蝕刻強度

蝕刻模組無需維護

蝕刻技術(3)
蝕刻技術(4)
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物理氣相沉積塗層技術

物理氣相沉積(PVD)技術是指在真空條件下,利用物理方法將材料源(固體或液體)表面汽化成氣態原子或分子,或部分電離成離子,並透過低壓氣體(或等離子體)製程在基材表面沉積具有特定功能的薄膜的過程。 PVD是主要的表面處理技術之一。

複合塗佈技術:將電弧濺鍍和磁控濺鍍技術的優點結合在同一蒸發源中:

蝕刻技術(1)

電弧離子電鍍(AIP)

高電離率

高密度

高沉積速率

許多微粒

粗糙表面

蝕刻技術(2)

G4整合陰極

高電離率

高密度

高沉積速率

表面光滑,無微粒

低殘餘應力

蝕刻技術(3)

磁控濺鍍(MS)

表面光滑,無微粒

低殘餘應力

低沉積率

低電離率

PECVD塗層技術

等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD) 是一種在高度真空環境下沉積極其光滑、附著力強的非晶態鑽石硬合金塗層的製程。與物理氣相沉積 (PVD) 製程相比,PECVD 製程使用深鍍電源,無需陰極靶材,且工件無需在爐膛內旋轉。此工藝清潔、無污染、可靠且功能多樣。

●硬體簡單,無額外的電離源

● 複合磁場設計,提高電離率

●高沉積速度 >1μm/h

●低沉積溫度 <250℃

● 表面光滑,無大微粒污染

● 等離子清洗產品,免維護

蝕刻技術(4)

非平衡閉合磁場的模擬

蝕刻技術(5)

高密度等離子體

蝕刻技術(6)

等離子清洗產品

PECVD(適用於aC:H)

根據零件的耐磨性、潤滑性、耐腐蝕性和高結合強度的要求,DLC塗層的結構設計是基於多層結構、梯度過渡和界面複合的概念。

科技

DLC塗層結構

蝕刻技術(7)

厚度 2-4μm(取決於具體要求)