蝕刻技術
特殊設計的磁場均勻地包圍著樣品系統
蝕刻均勻性極佳
良好的衍射
可調蝕刻強度
蝕刻模組無需維護

電弧離子電鍍(AIP)
高電離率
高密度
高沉積速率
許多微粒
粗糙表面

G4整合陰極
高電離率
高密度
高沉積速率
表面光滑,無微粒
低殘餘應力

磁控濺鍍(MS)
表面光滑,無微粒
低殘餘應力
低沉積率
低電離率
PECVD塗層技術
等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD) 是一種在高度真空環境下沉積極其光滑、附著力強的非晶態鑽石硬合金塗層的製程。與物理氣相沉積 (PVD) 製程相比,PECVD 製程使用深鍍電源,無需陰極靶材,且工件無需在爐膛內旋轉。此工藝清潔、無污染、可靠且功能多樣。
●硬體簡單,無額外的電離源
● 複合磁場設計,提高電離率
●高沉積速度 >1μm/h
●低沉積溫度 <250℃
● 表面光滑,無大微粒污染
● 等離子清洗產品,免維護

非平衡閉合磁場的模擬

高密度等離子體

等離子清洗產品
PECVD(適用於aC:H)
根據零件的耐磨性、潤滑性、耐腐蝕性和高結合強度的要求,DLC塗層的結構設計是基於多層結構、梯度過渡和界面複合的概念。

DLC塗層結構

厚度 2-4μm(取決於具體要求)

